Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 473-476 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207047300

Etude de l'influence de l'épaisseur de la région n pour l'optimisation de la tenue en tension des structures p-n-n+

V. Boisson, M. Le Helley et J.P. Chante

Laboratoire d'Electronique, Automatique et Mesures Electriques, UA (CNRS) n° 848 « Génie Electronique », Ecole centrale de Lyon, 36, av. de Collongue, B.P. 163, 69131 Ecully Cedex, France

Abstract
This paper presents the influence of the n-region thickness for the optimization of the breakdown voltage of punched through planar devices with one field limiting ring. The results have been obtained by two-dimensional numerical simulations.

Résumé
Dans cet article, nous présentons l'influence de l'épaisseur de la région n, pour l'optimisation de la tenue en tension des structures planar avec un anneau de champ et en limitation de zone de charge d'espace. Les résultats ont été obtenus par simulation numérique bidimensionnelle.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.

Key words
electric breakdown of solids -- p n junctions -- semiconductor junctions -- n region thickness -- voltage behaviour -- p n n sup + structures -- optimization -- breakdown voltage -- punched through planar devices -- field limiting ring -- two dimensional numerical simulations