Revue de Physique Appliquée

Vol. 22 No. 8 (août 1987)

• Chauffage -ultra-rapide par dégagement contrôlé de la chaleur de mélange dans des composites de multicouches fines métal-métal     p. 707
  F. Bordeaux, A.R. Yavari and P. Desré
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• Influence of various hydrodynamic regimes in a melt on a solidification interface     p. 713
  J.J. Favier, A. Rouzaud and J. Coméra
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• Relations conductivité/microstructure dans des céramiques composites superconducteur (NASICON)/verre isolant     p. 719
  Ph. Colomban
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• Effect of elaboration velocity on magnetic properties of melt spun amorphous metal ribbons     p. 729
  G. Le Gal, M. Henry and F. Varret
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• Intérêts et difficultés de la mise en oeuvre du traitement thermique des matériaux métalliques par lasers     p. 735
  J. Merlin and J. Dietz
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• Time displacement for a wall-stabilized electric arc in a transverse magnetic field.     p. 747
  J.R. Ramos-Barrado and P. Galan-Montenegro
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• Spatial variation of negative ion density in a volume H- ion source     p. 753
  P. Devynck, M. Bacal, J. Bruneteau and F. Hillion
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• Etude du réisolement d'un disjoncteur à vide pour impulsion de courant intense haute fréquence     p. 761
  A. Delmas, A. Dongfack and C. Rioux
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• Electrical investigation of the transverse discharge of U.V. nitrogen gas laser     p. 767
  G. Lespinasse, P. Pignolet and B. Held
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• X-ray reflectivity of a Langmuir monolayer on water     p. 775
  L. Bosio, J.J. Benattar and F. Rieutord
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• Identification de la réponse d'un capteur magnétique plat de proximité     p. 779
  P. Billaudel, J.C. Emond, V. Ménétrier and G. Villermain-Lecolier
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• Semi-Conducteurs III-V et Microélectronique     p. 785
  Robert Adde and Jean-Claude Charpentier
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• III-V Semiconductors and Microelectronics     p. 786
  Robert Adde and Jean-Claude Charpentier
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• Electron states and recombination velocities at semiconductor surfaces and interfaces     p. 789
  M. Lannoo
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• Etude par photoémission de la passivation de GaAs en plasmas multipolaires d'azote et d'hydrogène     p. 797
  P. Friedel, J.P. Landesman and R. Mabon
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• Origine du bruit dans les dispositifs à semiconducteurs     p. 803
  J.P. Nougier
  Abstract | PDF file (2.595 MB) | References



• Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs     p. 821
  J.C. Harmand, F. Alexandre and J. Beerens
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• Application de la technique des oscillations d'intensité de diffraction électronique en incidence rasante à la croissance des semi-conducteurs III-V par épitaxie par jets moléculaires     p. 827
  F. Turco, J. Massies and J.P. Contour
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• Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb     p. 837
  G. Bougnot, J. Bougnot, F. Delannoy, A. Foucaran, P. Grosse, M. Marjan, F. Pascal and F. Roumanille
  Abstract | PDF file (1.766 MB) | References



• α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs     p. 845
  M. Secoue, B. Guenais and A. Guivarc'h
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• Mise en évidence de complexes associés au silicium et à l'hydrogène entrant dans le mécanisme de neutralisation des donneurs dans GaAs:Si(n) hydrogéné     p. 851
  J. Chevallier, A. Jalil, J.C. Pesant, R. Mostefaoui, B. Pajot, P. Murawala and R. Azoulay
  Abstract | PDF file (1.199 MB) | References



• Microstructures III-V sous pression hydrostatique     p. 859
  P. Lefebvre, B. Gil and H. Mathieu
  Abstract | PDF file (1.172 MB) | References



• Fluctuations de composition dans des systèmes GaAs/GaAlAs observées par microscopie électronique en transmission     p. 867
  H. Heral and A. Rocher
  Abstract | PDF file (907.0 KB) | References



• Spectres de sections efficaces absolues de photo-ionisation des ions de transition 3d dans InP     p. 873
  G. Bremond, G. Guillot and A. Nouailhat
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• Propriétés physiques des structures MIS réalisées sur InP(n) en utilisant un oxyde bicouche comme isolant     p. 881
  B. Bouchikhi, C. Michel, C. Boutrit and B. Lepley
  Abstract | PDF file (712.0 KB) | References



• Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique     p. 885
  E. Jalaguier, J. Joseph, Y. Robach, E. Bergignat and G. Hollinger
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• On the identification of the double donor state of EL2 in p type GaAs     p. 891
  A. Bencherifa, G. Brémond, A. Nouailhat, G. Guillot, A. Guivarc'h and A. Regreny
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• Bruit en 1/f3/2 dans les structures GaAs. Modèle du bruit thermique de surface     p. 897
  M. Pouysegur and J. Graffeuil
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• Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs     p. 905
  J.L. Pelouard, P. Hesto, J.P. Praseuth and L. Goldstein
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• BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques     p. 913
  A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy and S. Nacer
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• Analyse numérique du fonctionnement des structures lasers à cavités couplées     p. 919
  L. Vassilieff, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy, H. Martinot and G. Vassilieff
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• MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection     p. 931
  D. Pascal, P. Dansas, C. Bru and S. Laval
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• Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide     p. 935
  M. Perotin, L. Gouskov, H. Luquet, A. Jean, P. Silvestre, D. Magallon, C. Martinez and G. Bougnot
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