Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 821-825 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208082100
Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs
J.C. Harmand, F. Alexandre et J. BeerensCNET, 196, avenue Henri-Ravera, 92220 Bagneux, France
Abstract
In order to optimize the growth conditions of Ga1-y InyAs and Ga1-xAl xAs alloys, we have determine the minimum arsenic pressure that can be used for the molecular beam epitaxy growth of these materials in various conditions of growth temperature and growth rate. A correlation between transitions in the surface reconstructions, as observed in situ by electron diffraction, and the minimum arsenic pressure condition is also examined.
Résumé
Dans le but d'optimiser les conditions de croissance des alliages Ga 1 - yInyAs et Ga1 - xAlxAs, qui sont nécessaires dans l'élaboration de composants, nous avons déterminé la pression d'arsenic minimale devant être utilisée pour la croissance de ces matériaux par épitaxie par jets moléculaires dans diverses conditions de température et de vitesse de croissance. Nous discutons l'existence d'une corrélation entre certaines transitions de reconstruction de surface, observée in situ par diffraction d'électrons, et la condition de pression d'arsenic minimale.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115G - Vacuum deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
Key words
aluminium compounds -- electron diffraction examination of materials -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- molecular beam epitaxial growth -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- semiconductors -- growth -- molecular beam epitaxy -- surface reconstructions -- electron diffraction -- arsenic pressure -- Ga sub 1 y In sub y As -- Ga sub 1 x Al sub x As