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Microstructures III-V sous pression hydrostatique

Abstract
Recent photoluminescence measurements under hydrostatic pressure, performed on some III-V type I quantum wells, show a characteristic behaviour of these microstructures. Generally speaking, the pressure coefficient of the optical transitions in these structures is lower than that of the bulk material. Comparing the experimental available results with a theoretical calculation, we are led to distinguish between the case of deep quantum wells in narrow gap materials and the one of shallow quantum wells in wide-gap materials. We show how, to the effects of the non parabolicity, present in both cases, the effects of the delocalization of the exciton in the barriers must be added, only in the second case.

Résumé
De récentes mesures de photoluminescence sous pression hydrostatique effectuées sur des puits quantiques III-V de type I montrent un comportement caractéristique de ces microstructures. De manière générale, le coefficient de pression des transitions optiques dans ces structures est inférieur à celui du matériau massif. En comparant les résultats expérimentaux disponibles avec un calcul théorique, nous sommes amenés à distinguer le cas des puits quantiques profonds dans les matériaux à petits gaps de celui des puits peu profonds dans des matériaux à grands gaps. Nous montrons comment, aux effets de la non-parabolicité, sensibles dans ces deux cas, se rajoutent, dans le second cas seulement, ceux de la délocalisation de 1'exciton dans les barrières.