Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1695-1703 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220120169500
Femtosecond laser studies of ultrafast processes in semiconductors and large molecules
C.L. Tang, F.W. Wise et I.A. WalmsleyCornell University, Ithaca, NY 14853, U.S.A.
Abstract
The basic considerations underlying the optical transmission-correlation technique based upon the high-repetition-rate 40 fs laser system are reviewed. Recent results on the relaxation dynamics of nonequilibrium carriers in GaAs and related compounds and structures and photoexcited dye molecules are summarized.
Résumé
Les considérations fondamentales sous-jacentes à la technique de transmission-corrélation optique basée sur le système laser 40 fs à haute cadence de répétition sont passées en revue. Des résultats récents sur la dynamique de relaxation des porteurs non équilibrés dans GaAs ainsi que dans des composés et structures apparentés et des molécules de colorants photoexcitées sont résumés.
4280W - Ultrafast optical techniques.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7847 - Ultrafast optical measurements in condensed matter.
Key words
carrier relaxation time -- measurement by laser beam -- semiconductors -- high repetition rate laser system -- ultrafast processes -- semiconductors -- large molecules -- optical transmission correlation technique -- relaxation dynamics -- photoexcited dye molecules -- 40 fs -- GaAs