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Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé

Abstract
Forward I(V) and reverse 1/C2(V) results obtained for Al/GaP and Ag/GaP Schottky diodes achieved under ultra-high vacuum condition on cleaved n type bars are presented. Both unannealed and annealed (650 K, an hour) cleaved (110) surfaces have been used. These surfaces where previously caracterized by work function and AES measurements [1, 2]. The I(V) Schottky barrier is in the 1.1-1.2 eV range. The barrier height deduced from 1/C2(V) study is greater. Generally, annealed surfaces lead to poorer diodes : decrease of the barrier height, increase of the ideality factor, excess current at low biasing. Results can be explained by considering that buried interface states account for the height and the shape of the barrier and can also contribute to the current transport.

Résumé
On présente les résultats de la caractérisation I(V) en direct et 1/C2(V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP réalisées sous ultra-vide sur la face (110) clivée d'un barreau de type n. Deux types de surfaces ont été utilisées : les surfaces vierges et les surfaces recuites à 650 K pendant une heure. Ces surfaces ont préalablement été étudiées à la sonde de Kelvin et par spectroscopie Auger [1, 2]. Les diodes ont une barrière I(V) comprise entre 1,1 et 1,2 eV. Les caractéristiques 1/C2(V) sont linéaires mais conduisent à des hauteurs de barrière très sensiblement supérieures. De façon générale, le recuit préalable de la surface conduit à des diodes de moins bonne qualité : barrière légèrement diminuée, accroissement du facteur d'idéalité, non-linéarité à bas niveau de courant. Nous proposons une explication basée sur la présence d'états d'interface enfouis, déterminant la hauteur et la forme de la barrière et pouvant participer au transport du courant.