Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 79-81 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240107900

Mobilité des puits quantiques étroits

G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner et M. Voos

Groupe de Physique des Solides de l'ENS, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France

Abstract
We report on low temperature ohmic mobility calculations in narrow quantum wells.

Résumé
Nous présentons les résultats du calcul de la mobilité ohmique à basse température pour des puits quantiques étroits.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.

Key words
carrier mobility -- semiconductor quantum wells -- semiconductor -- low temperature ohmic mobility -- narrow quantum wells