Revue de Physique Appliquée

Vol. 24 No. 8 (août 1989)

• Dislocation multiplication in GaAs : inhibition by doping     p. 779
  A. Djemel, J. Castaing, N. Burle-Durbec and B. Pichaud
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• Electrical characterization of as-grown, annealed and indium-doped Hg1-xZnxTe for x near 0.15     p. 795
  S. Rolland, A. Lasbley, A. Seyni, R. Granger and R. Triboulet
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• Représentation analytique des surfaces d'aimantation en vue de la simulation des machines électriques     p. 803
  H.A. Anvari, A. Xhuvani and J. Faucher
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• Etude de la fluorescence d'une fibre en verre fluoré dopé Nd3+     p. 821
  A. Saïssy, Z.P. Cai and G. Maze
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• Optical pumping of helium with arc lamp excited LNA lasers     p. 827
  C.G. Aminoff, C. Larat, M. Leduc and F. Laloë
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• Mesures optiques de déplacements d'amplitude 10^-4 à 10^2 Angström. Application aux ondes élastiques     p. 833
  D. Royer and E. Dieulesaint
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• Erratum - Etudes sous champ magnétique de l'effet tunnel résonnant et non-résonnant dans les structures à double barrière n-(AlGa)As/GaAs.     p. 847
  A. Céleste
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• Revue de livres     p. 849
  
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