Revue de Physique Appliquée

Vol. 24 No. 10 (octobre 1989)

• Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I. Etude du phénomène de compensation     p. 973
  A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec
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• Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds     p. 983
  A. Le Bloa, Dang Tran Quan, Z. Guennouni and P.N. Favennec
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• High voltage RESURF LDMOS for smart power integrated circuits     p. 993
  G. Charitat, A. Nezar and P. Rossel
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• Microlithography with a laser plasma X-ray source     p. 1001
  I. Thoubans, R. Fabbro, H. Pepin and M. Chaker
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• Imagerie acoustique et modélisation dans les sédiments     p. 1007
  J. Bresson and R. Barriol
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• Conceptual design for an optoelectronic delay line     p. 1019
  J.P. Fabre, T. Gys, M. Primout and L. Van hamme
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