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Galvanomagnetic properties of dislocations in GaAs

Abstract
Galvanomagnetic measurements on plastically deformed GaAs have been compared with theoretical calculations of the Hall effect and of the induced resistivity associated with dislocation scattering mechanisms. This analysis allows us to confirm that dislocations are responsible for the existence of an amphoteric one-dimensional energy band located very near the top of the valence band. It also points out that scattering mechanisms acting on the free carrier mobility are mainly connected with the deformation potential reinforced by the Coulomb potential when dislocations are sufficiently charged (case of n type materials).

Résumé
Des mesures de conductivité et d'effet Hall effectuées sur des échantillons de GaAs déformés plastiquement ont été analysées au moyen de simulations théoriques de l'effet Hall et de la résistivité induite par les mécanismes de diffusion associés aux dislocations. Cette analyse confirme que les dislocations de glissement induisent l'existence d'une bande unidimensionnelle à caractère amphotère et située très légèrement au-dessus de la bande de valence. Le mécanisme de diffusion le plus efficace semble être associé au potentiel de déformation qui est renforcé par le potentiel coulombien dans le cas où les dislocations sont suffisamment chargées (cas des échantillons de type n).