Table of contents
Revue de Physique Appliquée
Vol. 22 No. 8 (août 1987)
- Chauffage -ultra-rapide par dégagement contrôlé de la chaleur de mélange dans des composites de multicouches fines métal-métal
p. 707
F. Bordeaux, A.R. Yavari and P. Desré
Abstract | PDF file (868.2 KB) | References - Influence of various hydrodynamic regimes in a melt on a solidification interface
p. 713
J.J. Favier, A. Rouzaud and J. Coméra
Abstract | PDF file (1.220 MB) | References - Relations conductivité/microstructure dans des céramiques composites superconducteur (NASICON)/verre isolant
p. 719
Ph. Colomban
Abstract | PDF file (1.684 MB) | References - Effect of elaboration velocity on magnetic properties of melt spun amorphous metal ribbons
p. 729
G. Le Gal, M. Henry and F. Varret
Abstract | PDF file (777.4 KB) | References - Intérêts et difficultés de la mise en oeuvre du traitement thermique des matériaux métalliques par lasers
p. 735
J. Merlin and J. Dietz
Abstract | PDF file (1.982 MB) | References - Time displacement for a wall-stabilized electric arc in a transverse magnetic field.
p. 747
J.R. Ramos-Barrado and P. Galan-Montenegro
Abstract | PDF file (621.9 KB) | References - Spatial variation of negative ion density in a volume H- ion source
p. 753
P. Devynck, M. Bacal, J. Bruneteau and F. Hillion
Abstract | PDF file (1001 KB) | References - Etude du réisolement d'un disjoncteur à vide pour impulsion de courant intense haute fréquence
p. 761
A. Delmas, A. Dongfack and C. Rioux
Abstract | PDF file (856.4 KB) | References - Electrical investigation of the transverse discharge of U.V. nitrogen gas laser
p. 767
G. Lespinasse, P. Pignolet and B. Held
Abstract | PDF file (1.109 MB) | References - X-ray reflectivity of a Langmuir monolayer on water
p. 775
L. Bosio, J.J. Benattar and F. Rieutord
Abstract | PDF file (596.3 KB) | References - Identification de la réponse d'un capteur magnétique plat de proximité
p. 779
P. Billaudel, J.C. Emond, V. Ménétrier and G. Villermain-Lecolier
Abstract | PDF file (596.9 KB) | References - Semi-Conducteurs III-V et Microélectronique
p. 785
Robert Adde and Jean-Claude Charpentier
PDF file (77.73 KB) - III-V Semiconductors and Microelectronics
p. 786
Robert Adde and Jean-Claude Charpentier
PDF file (65.49 KB) - Electron states and recombination velocities at semiconductor surfaces and interfaces
p. 789
M. Lannoo
Abstract | PDF file (1.042 MB) | References - Etude par photoémission de la passivation de GaAs en plasmas multipolaires d'azote et d'hydrogène
p. 797
P. Friedel, J.P. Landesman and R. Mabon
Abstract | PDF file (1018 KB) | References - Origine du bruit dans les dispositifs à semiconducteurs
p. 803
J.P. Nougier
Abstract | PDF file (2.595 MB) | References - Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs
p. 821
J.C. Harmand, F. Alexandre and J. Beerens
Abstract | PDF file (827.6 KB) | References - Application de la technique des oscillations d'intensité de diffraction électronique en incidence rasante à la croissance des semi-conducteurs III-V par épitaxie par jets moléculaires
p. 827
F. Turco, J. Massies and J.P. Contour
Abstract | PDF file (1.412 MB) | References - Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb
p. 837
G. Bougnot, J. Bougnot, F. Delannoy, A. Foucaran, P. Grosse, M. Marjan, F. Pascal and F. Roumanille
Abstract | PDF file (1.766 MB) | References - α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs
p. 845
M. Secoue, B. Guenais and A. Guivarc'h
Abstract | PDF file (865.4 KB) | References - Mise en évidence de complexes associés au silicium et à l'hydrogène entrant dans le mécanisme de neutralisation des donneurs dans GaAs:Si(n) hydrogéné
p. 851
J. Chevallier, A. Jalil, J.C. Pesant, R. Mostefaoui, B. Pajot, P. Murawala and R. Azoulay
Abstract | PDF file (1.199 MB) | References - Microstructures III-V sous pression hydrostatique
p. 859
P. Lefebvre, B. Gil and H. Mathieu
Abstract | PDF file (1.172 MB) | References - Fluctuations de composition dans des systèmes GaAs/GaAlAs observées par microscopie électronique en transmission
p. 867
H. Heral and A. Rocher
Abstract | PDF file (907.0 KB) | References - Spectres de sections efficaces absolues de photo-ionisation des ions de transition 3d dans InP
p. 873
G. Bremond, G. Guillot and A. Nouailhat
Abstract | PDF file (1.114 MB) | References - Propriétés physiques des structures MIS réalisées sur InP(n) en utilisant un oxyde bicouche comme isolant
p. 881
B. Bouchikhi, C. Michel, C. Boutrit and B. Lepley
Abstract | PDF file (712.0 KB) | References - Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique
p. 885
E. Jalaguier, J. Joseph, Y. Robach, E. Bergignat and G. Hollinger
Abstract | PDF file (871.6 KB) | References - On the identification of the double donor state of EL2 in p type GaAs
p. 891
A. Bencherifa, G. Brémond, A. Nouailhat, G. Guillot, A. Guivarc'h and A. Regreny
Abstract | PDF file (740.7 KB) | References - Bruit en 1/f3/2 dans les structures GaAs. Modèle du bruit thermique de surface
p. 897
M. Pouysegur and J. Graffeuil
Abstract | PDF file (1006 KB) | References - Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs
p. 905
J.L. Pelouard, P. Hesto, J.P. Praseuth and L. Goldstein
Abstract | PDF file (1.024 MB) | References - BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques
p. 913
A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy and S. Nacer
Abstract | PDF file (614.9 KB) | References - Analyse numérique du fonctionnement des structures lasers à cavités couplées
p. 919
L. Vassilieff, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy, H. Martinot and G. Vassilieff
Abstract | PDF file (1.286 MB) | References - MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection
p. 931
D. Pascal, P. Dansas, C. Bru and S. Laval
Abstract | PDF file (501.0 KB) | References - Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide
p. 935
M. Perotin, L. Gouskov, H. Luquet, A. Jean, P. Silvestre, D. Magallon, C. Martinez and G. Bougnot
Abstract | PDF file (607.7 KB) | References



