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Revue de Physique Appliquée

Vol. 25 No. 9 (septembre 1990)

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• Editorial - Forthcoming Changes to the Journal de Physique and the Revue de Physique Appliquée     p. 865
  Denis Jérome
  PDF file (295.9 KB)



• Surfaces et interfaces de semiconducteurs     p. 867
  G. Guillot and J. Joseph
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• Surfaces and interfaces of semiconductors     p. 867
  G. Guillot and J. Joseph
  PDF file (59 KB)



• Croissance épitaxique de CoSi2 sur Si(111) étudiée par photoémission     p. 869
  L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont and G. Gewinner
  Abstract | PDF file (2.680 MB) | References



• The role of dangling bonds in the properties of surfaces and interfaces of semiconductors     p. 887
  M. Lannoo
  Abstract | PDF file (1.279 MB) | References



• Passivation des semiconducteurs III-V     p. 895
  P. Viktorovitch
  Abstract | PDF file (3.834 MB) | References



• Oscillations d'intensité RHEED liées aux mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M.     p. 915
  M. Nouaoura, C. Raisin, F.W.O. Da Silva, M. Dumas and L. Lassabatere
  Abstract | PDF file (1.033 MB) | References



• Variation du mode de croissance initiale de SiO2 sur Si(001) en fonction de la température de substrat     p. 923
  F. Lutz, J.L. Bischoff, D. Bolmont and L. Kubler
  Abstract | PDF file (1.174 MB) | References



• Adsorption de disilane sur Si(111) 7 × 7. Influence de l'hydrogène     p. 931
  M. Alaoui, F. Ringeisen, D. Bolmont and J.J. Koulmann
  Abstract | PDF file (539.4 KB) | References



• Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InP     p. 935
  J.L. Courant, P. Dimitriou and G. Post
  Abstract | PDF file (656.5 KB) | References



• Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD     p. 941
  Y. Le Bellégo, P. Blanconnier and J.P. Praseuth
  Abstract | PDF file (617.0 KB) | References



• Au/InSe Schottky barrier height determination     p. 947
  R. Mamy, X. Zaoui, J. Barrau and A. Chevy
  Abstract | PDF file (560.8 KB) | References



• Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si     p. 951
  A. Mlayah, R. Carles, G. Landa, C. Fontaine and A. Freundlich
  Abstract | PDF file (902.8 KB) | References



• Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs     p. 957
  A. Rocher, F.W.O. Da Silva and C. Raisin
  Abstract | PDF file (794.2 KB) | References



• Visualisation d'écoulements courbes     p. 965
  P. Petitjeans and J.E. Wesfreid
  Abstract | PDF file (748.3 KB) | References

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