Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 127-130 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:0196800302012700

Origine et nature de la contamination involontaire des couches de silicium épitaxique sur substrat corindon (Al2o3-α)

J. Mercier

C.N.R.S., Grenoble

Abstract
A purely electrical method permits qualitative and quantitative determination of the sources of p-type contamination, which are actually observed in the epitaxial silicon layers on sapphire, produced by pyrolysis of silane. Aluminium is claimed to be the doping agent and the origins of contamination are from one side, the susceptor, from the other side and mainly the alumina substrate, by an uncertain mechanism. A considerable reduction of the contamination level by mean of a quartz protection can only be explained by a gettering effect on the dopant.

Résumé
Une méthode purement électrique permet de déterminer qualitativement et quantitativement les sources de contamination de type p que l'on observe effectivement sur les couches épitaxiques de silicium sur Al2O 3-α par pyrolyse du silane. L'aluminium est reconnu comme l'agent dopant, et les causes de contamination sont, d'une part, le suscepteur, d'autre part et surtout, le substrat d'alumine, par un mécanisme incertain. Une réduction considérable du taux de contamination par l'emploi d'une protection en quartz ne peut s'expliquer que par un effet actif de piégeage du dopant.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
6860 - Physical properties of thin films, nonelectronic.
7220 - Electrical conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.

Key words
aluminium compounds -- elemental semiconductors -- films