| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 4, Numéro 2, juin 1969
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| Page(s) | 284 - 285 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0196900402028401 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 4, 284-285 (1969)
DOI: 10.1051/rphysap:0196900402028401
Centre de Recherches Nucléaires, Strasbourg-Cronenbourg
2940P - Semiconductor detectors.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
particle detectors -- semiconductor counters
DOI: 10.1051/rphysap:0196900402028401
Détecteurs de rayonnements nucléaires à semiconducteurs à amplification interne
F. Roubert, P. Siffert et A. CocheCentre de Recherches Nucléaires, Strasbourg-Cronenbourg
Abstract
By geometrical control of the surface field, internal amplification P-N junctions have been constructed. Their characteristics are analyzed. Multiplication factors exceeding 1000 have been observed.
Résumé
On décrit les caractéristiques de jonctions P-N à amplification interne obtenues par diffusion de gallium dans du silicium N de résistivité 40 à 50 Ω.cm. Des coefficients d'amplification dépassant 1000 ont pu être obtenus à l'aide de ces dispositifs.
2940P - Semiconductor detectors.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
particle detectors -- semiconductor counters