Rev. Phys. Appl. (Paris) 4, 431-435 (1969)
DOI: 10.1051/rphysap:0196900403043100

Étude radiocristallographique de couches épitaxiales de germanium et d'arséniure de gallium obtenues à partir d'une phase liquide

Lucette Castet, Louis Mayet et Guy Mesnard

Laboratoire d'Électronique et de Physique du Solide de l'Université de Lyon

Abstract
Crystal growth of Ge and GaAs from a liquid phase (solution in Sn, Pb or a mixture Pb-Sn) has been studied by the method of Lambot-Vassamillet. It shows the presence of defects and the incorporation of solvent in different forms, varying with its nature and experimental conditions (especially temperature) ; Laue method allows only observation of the good monocrystalline state and exploration with Castaing microprobe appears to be less sensitive to the presence of impurities.

Résumé
La croissance monocristalline du germanium et de l'arséniure de gallium à partir d'une phase liquide (solution dans l'étain, le plomb ou un mélange Pb-Sn) a été étudiée par la méthode de Lambot-Vassamillet. Celle-ci a révélé la présence de défauts et l'incorporation de solvant sous des formes différentes suivant sa nature et les conditions opératoires (notamment suivant la température), alors que la méthode de Laue ne permet que de reconnaître le bon état monocristallin et que l'exploration à la microsonde de Castaing s'avère moins sensible à la présence des impuretés.

PACS
8110D - Growth from solutions.
6172D - Experimental determination of defects by diffraction and scattering.

Key words
Crystal growth from solutions -- Crystal defects -- XRD -- Investigation method -- Impurities -- Monocrystals -- Epitaxy -- Germanium -- Gallium arsenides -- Experimental study