Rev. Phys. Appl. (Paris) 6, 547-550 (1971)
DOI: 10.1051/rphysap:0197100604054700

Jonctions Josephson à barrière semiconductrice

Ph. Cardinne, M. Marti et M. Renard

C.E.C. L'Air Liquide, Centre de Recherches, 38-Sassennage

Abstract
The DC and AC Josephson effects are observed in some plane junctions where the barrier is a thin film (100 to 200 Å) of semiconducting evaporated material. Variations of the junction resistance Rj as a function of temperature are qualitatively explained by a simple band model. Values of superconductor gap 2 Δ are observed to be different of the lead value.

Résumé
Les effets Josephson continu et alternatif ont été observés sur des jonctions planes pour lesquelles la barrière est constituée d'un film mince (100 à 200 Å) semiconducteur obtenu par évaporation. La variation de la résistance de jonction Rj en fonction de la température est expliquée qualitativement par un modèle de bande simple. Des valeurs du gap supraconducteur 2 Δ différentes de celles du plomb ont été observées.

PACS
7340 - Electrical and electronic properties of interfaces.
2530 - Semiconductor junctions and interfaces.
2560 - Semiconductor devices.
3240C - Superconducting junction devices.
3240 - Superconducting devices.

Key words
Josephson junctions -- superconducting devices -- thin film devices -- tunnelling -- semiconducting barrier -- thin film -- plane junctions -- junction resistance -- function of temperature -- superconductor gap -- tunnelling -- band model