Rev. Phys. Appl. (Paris) 11, 403-408 (1976)
DOI: 10.1051/rphysap:01976001103040300

Contrôle de l'élaboration des thyristors par thermocapacitance : caractérisation de centres recombinants induits

J. Barbolla, L. Bailon, J.C. Brabant, M. Pugnet et M. Brousseau

Laboratoire de Physique des Solides , I. N. S. A., Département de Physique, Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse-Cedex, France

Abstract
We adapt the thermally stimulated capacitance and dark transient capacitance technique to the study of silicon power devices. We use this method for the characterization of deep levels which appear at each stage of thyristor fabrication. We find three levels at Ec - (160 ± 5) meV, E c - (257 ± 4) meV and Ec - (542 ± 4) meV. The second and third levels are associated with quench induced recombination centers (Quenched-in centers).

Résumé
Nous appliquons la thermocapacitance et la méthode des transitoires de capacité dans l'obscurité aux dispositifs de puissance au silicium. Nous utilisons ces méthodes pour caractériser les niveaux d'énergie profonds induits à chaque étape de la fabrication de thyristors. Nous trouvons trois niveaux à Ec - (160 ± 5) meV, Ec - (257 ± 4) meV et Ec - (542 ± 4) meV. Le second et le troisième niveau sont associés à des centres recombinants induits par la trempe (Quenched-in centers).

PACS
2560L - Thyristors and silicon controlled rectifiers.

Key words
semiconductor device manufacture -- thyristors -- production -- induced recombination centres -- thermally stimulated capacitance -- dark transient capacitance -- characterization of deep levels -- Si power devices