Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 1699-1703 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:0197700120100169900

Capteur magnétique de très grande sensibilité à sonde Schottky

J. Chretien, G. Kamarinos et P. Viktorovitch

Laboratoire d'Électronique I.N.P.G. Groupe : Physique des Composants à Semiconducteurs, ERA 659, 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
A magnetosensitive device based on the combination of two effects is described: * the magnetoconcentration effect, * the sensitiveness of the reverse saturation current of a Schottky diode to a carrier density excess. The device is fabricated on germanium slabs and its presents a sensitiveness dV/dB = 250 V/tesla (25 mV/gauss). This sensitiveness is 100 times higher than that of Hall effect sensors and higher than that of usual magneto-diodes. On the other hand, the smallest static or alternative magnetic field that the device can reach, with a signal to noise ratio equal to 1, is about 10-10 tesla. The device can be fabricated on Silicon On Sapphire.

Résumé
Nous décrivons un dispositif magnétosensible combinant les deux effets suivants : * l'effet de magnétoconcentration, * la sensibilité du courant de saturation inverse d'une diode Schottky à un excès de porteurs. Le dispositif est réalisé sur des barreaux de germanium et présente une sensibilité dV/dB = 250 V/tesla (25 mV/gauss). Cette sensibilité est 100 fois plus grande que celle des meilleurs capteurs à effet Hall et supérieure à celle des magnéto-diodes usuelles. D'autre part, le champ magnétique minimal, continu ou alternatif, détectable pour un rapport signal sur bruit 1 est de l'ordre de 10-10 tesla. Ce dispositif est réalisable en technologie Silicium Sur Isolant.

PACS
0707D - Sensors (chemical, optical, electrical, movement, gas, etc.); remote sensing.
0755G - Magnetometers for magnetic field measurements.

Key words
Magnetic sensors -- Schottky diodes -- Magnetic field measurement -- Carrier density -- Reverse saturation current