Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 255-261 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202025500

Characterization of CdTe with photoelectronic techniques

A.M. Mancini¹, C. Manfredotti¹, C. De Blasi², G. Micocci² et A. Tepore<sup>2

1</sup>  Istituto di Fisica, Bari and Sezione I. N. F. N., Bari, Italy
²  Istituto di Fisica, Lecce, Italy

Abstract
Thermally stimulated current (TSC) and space-charge limited current (SCLC) measurements have been performed in CdTe grown by Bridgman method with various In dopings and grown from Te-rich solution with Cl doping. Hole traps have been evidenced at 0.07, 0.14, 0.25 and 0.36 eV from valence band, while electron traps are at 0.05, 0.34, 0.52 and 0.62 eV from conduction band. Measurements of activation energies of resistivity vs temperature curves indicate which of these should correspond to donors or acceptors centers. Various methods of analysis were used both for TSC and for SCLC results, in order to determine the more suitable ones. Finally TSC and SCLC are compared and discussed as methods for CdTe characterization.

Résumé
Des mesures de courants thermostimulés ou limités par charge d'espace ont été employées pour caractériser des cristaux de tellurure de cadmium préparés soit par la méthode de Bridgman (avec différents niveaux de dopage à l'In) soit par le procédé THM sous solvant tellure (avec dopage au C1). Les pièges suivants ont été identifiés : pour les trous, des niveaux localisés à 0,07, 0,14, 0,25, 0,36 eV de la bande de valence, pour les électrons à 0,05, 0,34, 052 et 0,62 eV de la bande de conduction. A partir des mesures de résistivité en fonction de la température il a été possible de déterminer les niveaux donneurs et accepteurs, respectivement. L'analyse des courbes de courants thermostimulés et de charge d'espace a été effectuée de plusieurs façons, afin de déterminer les conditions optimales d'analyse. Finalement, les mérites respectifs de ces deux procédés de caractérisation seront discutés dans le cas où elles sont mises en oeuvre sur CdTe.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7220H - High field transport and nonlinear effects semiconductors/insulators.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- chlorine -- hole traps -- II VI semiconductors -- indium -- photoelectricity -- space charge limited conduction -- photoelectronic techniques -- electron traps -- CdTe:In -- CdTe:Cl -- hole trap depths -- thermally stimulated currents -- space charge limited current -- donor centres -- acceptor centres -- II VI semiconductor