Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 863-867 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:019790014010086300

Mesure du coefficient d'absorption et de la transmission dérivée dans Ga1-xAlxAs epitaxial

R. Madelon

Laboratoire de Physique des Solides de l'Université de Caen, 14032 Caen Cedex, France

Abstract
The GaAs substrate of LPE grown, a few μm thick Ga1- xAlxAs epitaxial layers is eliminated by simple mechanical and chemical etching. Transmission and reflectivity measurements yield the absorption coefficient, the bandwith and the collisional broadening in the vicinity of the Γ v15 → Γ°1 fundamental transition. The transmission derivative, as obtained by wavelength modulation spectroscopy, leads to values of the energy and the linewidth of the transition in good agreement with the previous one.

Résumé
Une méthode simple de polissage mécanique et chimique permet d'éliminer le substrat de couches minces de Ga1-xAl xAs, de quelques dizaines de μm d'épaisseur, obtenues par croissance épitaxiale sur GaAs. La mesure du coefficient de réflexion et de transmission permet de calculer le coefficient d'absorption, la largeur de la bande interdite et le paramètre d'élargissement dû aux collisions, au voisinage de la transition fondamentale Γv15 → Γc 1. La dérivée de la transmission obtenue par modulation de longueur d'onde offre une deuxième méthode de mesure de l'énergie et de la largeur de la transition, en bon accord avec la première.

PACS
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- semiconductor epitaxial layers -- transmission coefficient -- Ga sub 1 x Al sub x As epitaxial films -- absorption coefficient -- III V semiconductors