Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 675-677 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503067500

Thermal treatment effects on Cr centers in GaAs : Cr

A. Goltzené¹, G. Poiblaud² et C. Schwab<sup>1

1</sup>  Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide , Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France
²  R.T.C., La Radiotechnique Compelec, Route de la Délivrande, 14001 Caen, France

Abstract
The parameters, governing the equilibria between the Cr+ and Cr2+ centres, as a function of various oxydoreductive thermal treatments are investigated using electron paramagnetic resonance for assessing the chromium contents. Consequences for the preparation of stable semi-insulating GaAs : Cr during device processes are discussed.

Résumé
On étudie les paramètres qui régissent l'équilibre entre les centres Cr + et Cr2+ en fonction de divers traitements thermiques oxydo-réducteurs en employant la résonance paramagnétique électronique pour évaluer les teneurs en chrome. On discute les implications des résultats quant à l'élaboration de GaAs : Cr qui serait stable aux conditions thermiques rencontrées lors de la fabrication de dispositifs.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630F - EPR of iron group 3d ions and impurities Ti Cu.

Key words
chromium -- defect electron energy states -- gallium arsenide -- paramagnetic resonance of iron group ions and impurities -- GaAs:Cr -- Cr sup + -- Cr sup 2+ -- oxydoreductive thermal treatments -- electron paramagnetic resonance -- semiconductor device processing -- annealing -- III V semiconductors