Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 1445-1450 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:019800015090144500

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

E. Caquot, G. Guegan, M. Gamboa, H. Tranduc et P. Rossel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique, 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
A new electrical behaviour of the M.O.S. transistor, associated with a low doping level in the drain region, is shown to take place. This is the result of a saturation effect of the drain current as a function of both the drain and the gate voltages. The corresponding physical phenomenon is called the quasi-saturation effect and is related to an injection of majority carriers into the drain. A simplified analysis is proposed in order to define the asymptotic-electrical-characteristics for the M.O.S. transistor.

Résumé
On met en évidence un nouveau type de comportement électrique du transistor M,O.S. à drain peu dopé, qui se traduit principalement par un effet de saturation du courant de drain, aussi bien en fonction de la tension de drain que de la tension de grille. Ce phénomène que nous appelons la quasi-saturation, est lié à un effet d'injection de porteurs majoritaires en excès dans le drain. Une analyse simplifiée est proposée pour définir les caractéristiques électriques asymptotiques du transistor M.O.S.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- MOS transistors -- low doping level -- saturation effect -- drain current -- drain voltage -- gate voltage -- quasisaturation -- majority carrier injection -- asymptotic electrical characteristics