Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 87-92 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:0198300180208700

Magnetic-field effect in MOS transistor with injecting source

V.S. Lysenko¹, R.N. Litovskii¹, Ch. S. Roumenin² et N.D. Smirnov<sup>2

1</sup>  Institute of Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev-252028, USSR
²  Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia-1184, Bulgaria

Abstract
The I-V characteristics of a p+-n-p+ planar MOS transistor made by the standard technology under the regime of injecting p+-n source-substrate junction without and in the presence of an outer magnetic-field B, which deviates the carriers toward the Si-SiO 2 interface or in the opposite direction, were experimentally investigated. A control by B of the drain-source current IDS was observed. The current I DS and the control of its steepness through the gate bias considerably exceeded the values obtained in the absence of injection. This effect was explained with the increase of the part of the injected current-carriers from the channel at a growing gate bias and with the decrease of the effective distance source-drain. The magnetosensitivity can be connected with the hole current which is controlled by the magnetic-field and sharply increases with the drop of temperature.

Résumé
On a étudié expérimentalement les caractéristiques de sortie (courant-tension) d'un transistor MOS, fabriqué par une technologie habituelle à canal p. La jonction p+-n source-substrat est en régime injectant. On a étudié l'influence d'un champ magnétique qui dévie les porteurs de charge vers l'interface Si-SiO2, ou vers la face opposée de l'échantillon. On a observé qu'il est possible de varier l'intensité du courant source-drain en fonction du champ magnétique. En présence d'une injection, la modulation du courant source-drain par la tension de grille est beaucoup plus efficace que dans le cas où l'injection manque. Cette sensibilité magnétique est liée avec l'effet de magnétorésistance classique qui croît avec la diminution de la température.

PACS
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- magnetoelectric effects -- magnetic field effects -- p sup + n p sup + transistor -- MOS transistor -- injecting source -- I V characteristics -- drain source current -- gate bias -- magnetosensitivity -- hole current -- temperature