Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 25-33 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:0198600210102500

Influence of thin inversion layers on Schottky diodes

K.K. Sharma

Laboratoire de Physique des Solides, CNRS, 1 pl. A. Briand, F-92190 Meudon, France

Abstract
A Schottky diode exhibits a barrier height which increases when the semiconductor doping is superficially inversed. This effect is modellized, so as to show the influence of the main parameters : doping and thickness of the inversion layer, interface state configuration, metal work function. The analysis of a few available experimental results is consistent with the assumption that the interface states are not modified by the inversion layer.

Résumé
Une diode Schottky voit sa hauteur de barrière augmenter lorsque le dopage du semiconducteur est inversé en surface. Cet effet est calculé, de façon à mettre en évidence l'influence des principaux paramètres : dopage et épaisseur de la couche d'inversion, configuration des états d'interface, fonction de travail du métal. L'interprétation des rares résultats expérimentaux publiés permet de conclure que les états d'interface ne sont pas modifiés par la présence de la couche d'inversion.

PACS
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.

Key words
interface electron states -- inversion layers -- Schottky barrier diodes -- work function -- Schottky diode -- barrier height -- semiconductor doping -- inversion layer -- interface state configuration -- metal work function -- interface states