Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 131-137 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002102013100

Dérive temporelle post-irradiation dans les dosimètres MOS de rayonnement

G. Sarrabayrouse, A. Bellaouar et P. Rossel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France

Abstract
The properties of the post-irradiation annealing in MOS transistors used as dosimeter are studied. It is shown that the observed shift, probably caused by tunnel injection of electrons from the transistor channel, is a decreasing function of the insulator thickness. The limits of such a dosimeter when a very low dose rate is measured are evaluated.

Résumé
Les propriétés de la dérive post-irradiation dans les transistors MOS utilisés comme dosimètres sont étudiées. Il est montré que cette dérive, probablement due à une injection tunnel des électrons du canal, est une fonction fortement décroissante de l'épaisseur de la grille. Une évaluation des erreurs commises lors de la mesure de faibles débits de dose permet de définir les limites d'utilisation de ce type de dosimètre.

PACS
2880C - Dosimetry in nuclear engineering.
2940P - Semiconductor detectors.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.

Key words
annealing -- dosimeters -- metal insulator semiconductor devices -- semiconductor counters -- MOS dosimeters -- post irradiation annealing -- tunnel injection -- very low dose rate