Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 273-278 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002205027300

Growth and interface characterization of GaAs/GaAlAs superlattices

A. Regreny, P. Auvray, A. Chomette, B. Deveaud, G. Dupas, J.Y. Emery et A. Poudoulec

Centre National d'Etudes des Télécommunications, (LAB/ICM), 22301 Lannion, France

Abstract
The growth conditions of multi-quantum wells (MQWs) and superlattices (SLs) have been optimized and the characterization of the interface of high quality GaAs/GaAlAs and GaAs/AIAs superlattices has been performed. Electron microscopy, luminescence and X-ray diffraction show interfaces flat within one monolayer and only very large growth islands.

Résumé
Le rôle de la qualité des interfaces dans les superstructures multiples puits quantiques (MQW) ou superréseaux (SR) a souvent été évoqué. Cependant, son importance a été, à notre avis, sous-estimée. Dans cet exposé nous montrerons comment la qualité de l'interface peut être améliorée dans les systèmes à base de GaAs et de GaAlAs. Nous verrons comment on a pu vérifier cette amélioration (en particulier pour l'interface inverse GaAs sur GaAlAs) ainsi que les conséquences d'une bonne qualité de l'interface sur certaines propriétés physiques des SR.

PACS
6848 - Solid solid interfaces.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
aluminium compounds -- crystal growth -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interface structure -- luminescence of inorganic solids -- molecular beam epitaxial growth -- photoluminescence -- semiconductor growth -- semiconductor superlattices -- transmission electron microscope examination of materials -- X ray diffraction examination of materials -- semiconductor -- MBE -- interface characterization -- multi quantum wells -- superlattices -- luminescence -- X ray diffraction -- growth islands -- GaAs GaAlAs