Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 867-871 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208086700

Fluctuations de composition dans des systèmes GaAs/GaAlAs observées par microscopie électronique en transmission

H. Heral et A. Rocher

Laboratoire d'Optique Electronique, CNRS, 29, rue Jeanne-Marvig, 31400 Toulouse, France

Abstract
The concentration variations in aluminium are studied in the devices GaAs/Al xGa1-xAs by Transmission Electron Microscopy. When the sample thickness is less than 80 nm, the diffracted intensity I200 is an increasing function with aluminium concentration. Two examples of inhomogeneity of concentration are discussed : an aluminium excess at the beginning of an AlGaAs layer grown by MOCVD and a periodic fluctuation in some layers elaborated by MBE.

Résumé
Les changements de concentration en aluminium dans les dispositifs GaAs/Al xGa1-xAs sont étudiés par Microscopie Electronique en Transmission. Lorsque l'épaisseur de l'échantillon est inférieure à 80 nm, l'intensité diffractée I200 en position de Bragg est une fonction croissante de la concentration x en Al. Deux exemples d'hétérogénéité de concentration sont discutés : un excès d'aluminium observé au départ de la croissance de AlxGa1 - xAs en MOCVD et une fluctuation périodique de composition dans des couches élaborées par MBE.

PACS
6848 - Solid solid interfaces.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- semiconductor junctions -- transmission electron microscope examination of materials -- semiconductor -- composition fluctuations -- transmission electron microscopy -- inhomogeneity -- MOCVD -- MBE -- GaAs GaAlAs