Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 357-367 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002403035700

Effet des métallisations réelles dans les lignes GaAs pour les circuits microondes monolithiques

N. Daoud, S. Tedjini, E. Pic et D. Rauly

LEMO UA 833, 23 Avenue des Martyrs, B.P. 257, 38016 Grenoble, France

Abstract
This paper deals with the effect of metallisation thickness in GaAs lines for microwave integrated circuits. An original approach, which is an extension of the well known Spectral Domain Technique is proposed. This method is applied to a typical Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) GaAs line. The effect of the metallization thickness and conductivity of the strip on the propagation characteristics i.e. effective permittivity, losses and characteristic impedance are discussed.

Résumé
Cet article traite les effets des métallisations réelles dans les lignes GaAs pour circuits intégrés microondes. Une approche théorique originale, qui est en fait une extension de la Méthode Spectrale classique, est présentée dans cette communication. Cette approche est appliquée à une ligne Metal-Isolant-Semiconducteur (MIS) sur GaAs. On montre l'effet de l'épaisseur des rubans sur les caractéristiques de propagation : permittivité effective, pertes de propagation et impédance caractéristique.

PACS
1350F - Solid state microwave circuits and devices.
2550F - Metallisation and interconnection technology.
2570 - Semiconductor integrated circuits.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2810 - Dielectric materials and properties.

Key words
dielectric losses -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- metal insulator semiconductor structures -- metallisation -- permittivity -- transmission lines -- semiconductor -- MMIC -- metallization thickness -- monolithic microwave integrated circuits -- spectral domain technique -- conductivity -- effective permittivity -- losses -- characteristic impedance -- GaAs