Rev. Phys. Appl. (Paris) 25, 453-456 (1990)
DOI: 10.1051/rphysap:01990002505045300

Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs

P. Carer, E. Caquot, J.C. Renaud, L. Nguyen et A. Scavennec

Centre National d'Etudes des Télécommunications (CNET), 196 avenue H. Ravera, 92220 Bagneux, France

Abstract
The excess gate leakage current in InGaAs JFET's has been attributed to impact ionization in the high field region of the channel. Actually this excess gate leakage current does also appear in heterostructure AlInAs/InGaAs FET. Accurate modelling based on a distributed approach confirms this impact ionization assumption and allows a computation of the electron ionization coefficient which has been found to be 30 cm-1 for an electric field of 4.5 × 10^4 V/cm with a channel doping of 2 × 10^16 cm-3.

Résumé
L'excès de courant de fuite de grille dans les JFET InGaAs a été attribué à l'ionisation par impact dans la région de champ électrique élevé dans le canal du transistor. Actuellement, cet excès de courant de fuite de grille apparaît également dans les FET à hétérostructures InAlAs/InGaAs. Une modélisation précise basée sur un modèle distribué confirme cette hypothèse d'ionisation par impact dans le canal et permet une évaluation du coefficient d'ionisation qui est de 30 cm-1 pour un champ électrique de 4,5 x 10^4 V/cm avec un dopage du canal de 2 × 10^16 cm-3 .

PACS
2560S - Other field effect devices.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- impact ionisation -- indium compounds -- junction gate field effect transistors -- leakage currents -- semiconductor device models -- JFET -- excess gate leakage current -- impact ionization -- high field -- modelling -- electron ionization coefficient -- InGaAs