Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 154 - 159
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103015400
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 154-159 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103015400

Thin film solar cells and a review of recent results on GaAs

Paul Rappaport

RCA Laboratories, Princeton, N. J., U. S. A.


Abstract
The merits of several semiconducting compounds which can be used to build thin film photovoltaic devices are discussed, considering in particular their absorption coefficient. Photocells using polycristalline GaAs films, formed by different techniques, are then described. The best cells, obtained with GaAs films chemically formed on Mo foil, and covered with cuprous selenide, have efficiencies reaching 5 % and a good stability.


Résumé
On discute les mérites respectifs des divers composés semiconducteurs aptes à former des films minces photovoltaïques, compte tenu notamment de leur coefficient d'absorption. On décrit ensuite des cellules en GaAs polycristallin, formées par différents procédés. Les meilleures cellules, obtenues avec des films de GaAs formés chimiquement sur une feuille de Mo et recouverts de séléniure cuivreux, ont des rendements atteignant 5 % et une bonne stabilité.

PACS
8460J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.

Key words
Solar cells -- Thin film devices -- Photovoltaic cells -- Deposition process -- Yields -- IV characteristic -- Absorption coefficients -- Gallium arsenides -- Cadmium tellurides -- Cadmium sulfides