Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 160 - 160
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103016000
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 160-160 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103016000

Les couches minces semiconductrices

M. Rodot et C. Paparoditis

Laboratoire de Magnétisme et de Physique du Solide, C. N. R. S., Bellevue, France


Résumé
On analyse d'abord les deux facteurs fondamentaux dont dépend la qualité des couches minces semiconductrices : l'exactitude de leur composition stoechiométrique et la perfection de leur structure. Ces facteurs sont plus ou moins bien contrôlés suivant la nature du support et la méthode de préparation. Cette dernière peut mettre en oeuvre différentes forces élémentaires, pour entraîner les particules à déposer sur le support : gradient thermique (évaporation de type classique), différence de potentiel chimique (évaporation-diffusion en régime isotherme [1]) ou combinaison des deux (transport en phase vapeur). On rappelle les caractéristiques thermodynamiques du phénomène de sublimation d'une part, et d'autre part le rôle des défauts ponctuels ou quasi-ponctuels sur les caractéristiques des composés semiconducteurs [2]. La mobilité électronique est un indice sensible de la perfection structurelle des couches. Entre les couches microcristallines et les couches épitaxiées, il existe une structure à cristallisation dirigée, conduisant à une mobilité élevée, mais pour certains matériaux seulement [3]. Parmi ceux-ci se trouvent ceux qu'utilise la technique des photopiles et en particulier CdTe et les tellurures de cuivre, qui sont étudiés de façon plus approfondie à titre d'exemple. On décrit en particulier comment peuvent être obtenues des couches de CdTe quasi-monocristallines, de mobilité 200 à 400 cm2/V.s et de résistivité 103 à 105 Ωcm [4], et des couches de Cu1,85 Te, qui allient une faible résistivité à une forte transparence [3].

PACS
7361L - Other inorganic semiconductors.

Key words
Thin films -- Semiconductor materials -- Vapor deposition -- Stoichiometry -- Electron mobility