Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 161 - 163
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103016100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 161-163 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103016100

Couches épitaxiales d'arséniure de gallium obtenues par la technique de transport en phase vapeur

T.T. Anh Nhuyen et J. Vuillod

Laboratoire d'Électrostatique et de Physique du Métal, Service Lames Minces, B. P. 319, Grenoble


Abstract
We have studied the epitaxy of gallium arsenide deposited by the vapor phase transport technique, on germanium. We treat in particular crystallographic analyses eflected by optical microscopy, X-ray diffraction and electron diffraction, as well as electrical measurements of mobility and resistivity.


Résumé
On présente une étude de l'épitaxie de l'arséniure de gallium sur des supports de germanium réalisée par la technique de transport en phase vapeur. Cette étude comprend notamment des analyses cristallographiques faites par microscopie optique, par diffraction des rayons X et par diffraction électronique et des mesures électriques, principalement de résistivité et de mobilité.

PACS
7361E - III-V semiconductors.
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.

Key words
Thin films -- Semiconductor materials -- Epitaxial layers -- Vapor deposition -- Microstructure -- Electrical conductivity -- Hall effect -- Gallium arsenides