Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 164 - 172
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103016400
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 164-172 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103016400

Contribution à l'étude de couches minces de matériaux semiconducteurs utilisés dans la préparation de photopiles

M. Perrot, J.P. David et S. Martinuzzi

Laboratoire d'Héliotechnique, Laboratoire de Physique S. P. C. N. , Faculté des Sciences, Marseille


Abstract
We have studied binary films of gallium arsenide and cadmium telluride, as well as ternary films of gallium and indium arsenide and cadmium and mercury telluride, ail prepared by vacuum evaporation. Semi-insulating properties of gallium arsenide and cadmium telluride have been observed, while interesting semiconducting properties were shown by ternary films. Some p-n junctions were obtained with cadmium and mercury telluride, which give extrinsic photovoltaic effects.


Résumé
Nous avons étudié des couches minces binaires d'arséniure de gallium, et de tellurure de cadmium, ainsi que des couches ternaires d'arséniure de gallium et d'indium et de tellurure de cadmium et de mercure. Toutes ces couches sont préparées par évaporation thermique sous vide. Nous avons observé des propriétés semi-isolantes sur les couches binaires tandis que les couches ternaires sont semiconductrices. Des jonctions p-n ont été obtenues avec les couches de CdTeHg. Elles donnent lieu à un effet photovoltaïque extrinsèque.

PACS
7361 - Electrical properties of specific thin films.
8460J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.

Key words
Thin films -- Vapor deposition -- Vacuum evaporation -- Hall effect -- Electrical conductivity -- Optical properties -- Solar cells -- Photovoltaic cells -- p n junctions -- Gallium arsenides -- Indium arsenides -- Cadmium tellurides -- Mercury tellurides -- Binary compound -- Ternary compound -- Experimental study