Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 194 - 194
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103019400
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 194-194 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103019400

Methods of activating and recrystallizing thin films of II-VI compounds

A. Vecht

Associated Electrical Industries Ltd., Central Research Laboratory, Rugby, Warwickshire, England


Abstract
A review (1) of methods of activating and recrystallizing thin films of II-VI compounds is made. After discussing the importance of the purity of the starting material and the stoichiometry of the deposited films, the effects of activation and recrystallization are discussed, more especially in relation to the preparation of films showing useful physical properties. The organometallic, embedding and chemical deposition techniques are outlined as well as multiple evaporation and post-evaporation heating methods. The relative merits of these methods are assessed.


Résumé
On passe en revue les méthodes d'activation et de recristallisation des couches minces de cornposés II-VI. On discute d'abord l'importance de la pureté des matériaux de départ, et de la stoechiométrie des couches déposées, puis les effets de l'activation et de la recristallisation, plus particulièrement en vue de la préparation de couches minces qui préscntent des propriétés physiques utiles. On insiste sur les techniques organométalliques, d'incorporation, de dépôt chimique, ainsi que sur les méthodes d'évaporation multiple et de chauffage après évaporation. Les mérites relatifs de ces méthodes sont indiqués.

PACS
8115 - Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy.

Key words
Thin films -- II-VI compound -- Deposition process -- Recrystallization -- Semiconductor materials