Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 1, Numéro 3, septembre 1966
Page(s) 230 - 236
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196600103023001
Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 230-236 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103023001

Aspects physico-chimiques de la préparation de couches minces semiconductrices par condensation de plasmas froids

B. Laville Saint Martin, G. Perny, M. Samirant et P. van den Berghe

Laboratoire de Physico-Chimie des Couches Minces Solides, Mulhouse


Abstract
Study of the influence of the reduced field E* and of the oxygen ratio of cold plasmas (Cu, A, O)* and (Ti, A, O)* upon the characteristics of thin films condensed on solid substrates ; investigation of their properties by different methods. Evidence for the existence of a thickness specific to the substrate-film couple. Proposition of a phenomenological theory of the condensation of cold plasmas based on the hypothesis of collisional chemical reactions and comparison with experimental results in the case of (Ti, A, O)*.


Résumé
Étude de l'influence des variations du champ réduit E* et de la concentration en oxygène des plasmas froids (Cu, A, O)* et (Ti, A, O)* sur les caractéristiques des couches minces condensées sur des supports solides ; examen de leurs propriétés par différentes techniques et mise en évidence d'une épaisseur caractéristique du couple support-couche mince. Proposition d'une théorie phénoménologique de la condensation des plasmas froids, basée sur l'hypothèse de l'existence de réactions chimiques collisionnelles et comparaison avec les résultats expérimentaux dans le cas (Ti, A, O)*.

PACS
8115 - Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy.

Key words
Plasma deposition -- Plasma condensation -- Operating mode -- Substrates -- Phenomenological model -- Experimental study