Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 3, Numéro 4, décembre 1968
Page(s) 365 - 372
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196800304036500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 365-372 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:0196800304036500

Dosage de traces d'éléments légers par activation par les photons γ et les particules chargées

G. Cabane et CH. Engelmann

Département de Métallurgie, C.E.N. de Saclay


Abstract
Radio-isotopes such as 11C, 13N, 15O, 18F can be produced by photons or charged particle activation, and so allow the detection and analysis of light elements at levels of 10 -6 to 10-9. Because of this extreme sensitivity and the possibility of getting rid of surface contamination, these types of activation analysis are unchallenged for very high purity materials, and indeed they already have given results (for O, C, N in Si, Fe and Nb for example) that cannot be obtained by any other method. Applications for semiconductors as well as metals are mushrooming as cyclotrons and linear accelerators become progressively more accessible. If the technical advance of French teams can be maintained, this will be a very important factor for the development of new semiconductor materials and for the success of many studies in physical metallurgy.


Résumé
Des radio-isotopes tels que 11C, 13N, 15O, 18F, peuvent être formés par activation avec des photons ou des particules chargées et permettent ainsi les dosages des éléments légers à des teneurs variant de 10-6 à 10-9. Du fait de cette extrême sensibilité et de la possibilité de s'affranchir de toute contamination superficielle, ces méthodes d'analyse par activation sont irremplaçables pour les matériaux de très haute pureté, et elles ont déjà fourni des résultats (O, C et N dans Si, Fe, Nb par exemple) qui n'étaient accessibles par aucune autre méthode. Les applications, tant pour les semiconducteurs que pour les métaux, se développent grâce à la disponibilité croissante des cyclotrons et des accélérateurs linéaires. Si l'avance technique des équipes françaises dans ce domaine peut être conservée, ce sera un atout très important pour la mise au point de nouveaux matériaux semiconducteurs et pour le succès de nombreuses recherches de métallurgie physique.

PACS
8170J - Chemical composition analysis, chemical depth and dopant profiling.

Key words
Chemical analysis -- Residual impurity -- Nuclear reaction analysis -- Gamma radiation -- Charged particles -- Non destructive method -- Investigation method -- Semiconductor materials -- Metals -- Experimental study