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Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs p. 232 B. Balland DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305023200 RésuméPDF (1.226 MB)Références
Modélisation de surfaces de niobate de lithium perturbées par des ions implantés et utilisées pour propager des ondes élastiques p. 241 G. Cambon et P. Hartemann DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305024100 RésuméPDF (666.4 KB)Références
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