Accès gratuit Editorial Editorial - Forthcoming Changes to the Journal de Physique and the Revue de Physique Appliquée p. 865 Denis Jérome DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086500 RésuméPDF (295.9 KB)
Surfaces et interfaces de semiconducteurs p. 867 G. Guillot et J. Joseph DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086700 RésuméPDF (51.75 KB)
Surfaces and interfaces of semiconductors p. 867 G. Guillot et J. Joseph DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086701 RésuméPDF (59 KB)
Croissance épitaxique de CoSi2 sur Si(111) étudiée par photoémission p. 869 L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont et G. Gewinner DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086900 RésuméPDF (2.680 MB)Références
The role of dangling bonds in the properties of surfaces and interfaces of semiconductors p. 887 M. Lannoo DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509088700 RésuméPDF (1.279 MB)Références
Passivation des semiconducteurs III-V p. 895 P. Viktorovitch DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509089500 RésuméPDF (3.834 MB)Références
Oscillations d'intensité RHEED liées aux mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M. p. 915 M. Nouaoura, C. Raisin, F.W.O. Da Silva, M. Dumas et L. Lassabatere DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509091500 RésuméPDF (1.033 MB)Références
Variation du mode de croissance initiale de SiO2 sur Si(001) en fonction de la température de substrat p. 923 F. Lutz, J.L. Bischoff, D. Bolmont et L. Kubler DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509092300 RésuméPDF (1.174 MB)Références
Adsorption de disilane sur Si(111) 7 × 7. Influence de l'hydrogène p. 931 M. Alaoui, F. Ringeisen, D. Bolmont et J.J. Koulmann DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509093100 RésuméPDF (539.4 KB)Références
Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InP p. 935 J.L. Courant, P. Dimitriou et G. Post DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509093500 RésuméPDF (656.5 KB)Références
Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD p. 941 Y. Le Bellégo, P. Blanconnier et J.P. Praseuth DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509094100 RésuméPDF (617.0 KB)Références
Au/InSe Schottky barrier height determination p. 947 R. Mamy, X. Zaoui, J. Barrau et A. Chevy DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509094700 RésuméPDF (560.8 KB)Références
Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si p. 951 A. Mlayah, R. Carles, G. Landa, C. Fontaine et A. Freundlich DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095100 RésuméPDF (902.8 KB)Références
Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs p. 957 A. Rocher, F.W.O. Da Silva et C. Raisin DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095700 RésuméPDF (794.2 KB)Références
Visualisation d'écoulements courbes p. 965 P. Petitjeans et J.E. Wesfreid DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509096500 RésuméPDF (748.3 KB)Références
