Free Access Editorial Editorial - Forthcoming Changes to the Journal de Physique and the Revue de Physique Appliquée p. 865 Denis Jérome DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086500 AbstractPDF (295.9 KB)
Surfaces et interfaces de semiconducteurs p. 867 G. Guillot and J. Joseph DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086700 AbstractPDF (51.75 KB)
Surfaces and interfaces of semiconductors p. 867 G. Guillot and J. Joseph DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086701 AbstractPDF (59 KB)
Croissance épitaxique de CoSi2 sur Si(111) étudiée par photoémission p. 869 L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont and G. Gewinner DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509086900 AbstractPDF (2.680 MB)References
The role of dangling bonds in the properties of surfaces and interfaces of semiconductors p. 887 M. Lannoo DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509088700 AbstractPDF (1.279 MB)References
Passivation des semiconducteurs III-V p. 895 P. Viktorovitch DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509089500 AbstractPDF (3.834 MB)References
Oscillations d'intensité RHEED liées aux mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M. p. 915 M. Nouaoura, C. Raisin, F.W.O. Da Silva, M. Dumas and L. Lassabatere DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509091500 AbstractPDF (1.033 MB)References
Variation du mode de croissance initiale de SiO2 sur Si(001) en fonction de la température de substrat p. 923 F. Lutz, J.L. Bischoff, D. Bolmont and L. Kubler DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509092300 AbstractPDF (1.174 MB)References
Adsorption de disilane sur Si(111) 7 × 7. Influence de l'hydrogène p. 931 M. Alaoui, F. Ringeisen, D. Bolmont and J.J. Koulmann DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509093100 AbstractPDF (539.4 KB)References
Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InP p. 935 J.L. Courant, P. Dimitriou and G. Post DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509093500 AbstractPDF (656.5 KB)References
Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD p. 941 Y. Le Bellégo, P. Blanconnier and J.P. Praseuth DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509094100 AbstractPDF (617.0 KB)References
Au/InSe Schottky barrier height determination p. 947 R. Mamy, X. Zaoui, J. Barrau and A. Chevy DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509094700 AbstractPDF (560.8 KB)References
Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si p. 951 A. Mlayah, R. Carles, G. Landa, C. Fontaine and A. Freundlich DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095100 AbstractPDF (902.8 KB)References
Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs p. 957 A. Rocher, F.W.O. Da Silva and C. Raisin DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095700 AbstractPDF (794.2 KB)References
Visualisation d'écoulements courbes p. 965 P. Petitjeans and J.E. Wesfreid DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509096500 AbstractPDF (748.3 KB)References
