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Article cité :

Determination experimentale du coefficient de formation d'excitons dans le silicium

J. Barrau, M. Heckmann and M. Brousseau
Journal of Physics and Chemistry of Solids 34 (3) 381 (1973)
https://doi.org/10.1016/0022-3697(73)90029-2

Study of the electron capture coefficient of substitutional neutral boron atoms in silicon at low temperatures

M. Heckmann, J. Barrau, M. Pugnet and M. Brousseau
Physica Status Solidi (a) 19 (2) 397 (1973)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210190202