Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Phénomènes de relaxation dans les structures planes épitaxiales à l'arséniure de gallium

P. Rossel, H. Tranduc, J. Graffeuil, C. Azizi

Rev. Phys. Appl. (Paris), 12 10 (1977) 1679-1694

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0197700120100167900

Citations de cet article :

Modeling the transient response of channel-substrate interface traps to gate voltage steps in GaAs FETs

N. Sengouga and B.K. Jones
Solid-State Electronics 36 (2) 229 (1993)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(93)90145-G

Caractérisation de l'interface couche implantée substrat semi-isolant LEC GaAs

J.P. David, A. Roizes, M. Bonnet, N. Visentin and J. Icole
Revue de Physique Appliquée 18 (12) 751 (1983)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018012075100

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

M. Gamboa, G. Sarrabayrouse, H. Tranduc and P. Rossel
Revue de Physique Appliquée 15 (5) 973 (1980)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505097300

Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

P. Rossel, H. Tranduc, J. Graffeuil, et al.
Revue de Physique Appliquée 13 (10) 503 (1978)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013010050300

Substrate and interface effects in GaAs fet's

H. Tranduc, P. Rossel, J. Graffeuil, et al.
Revue de Physique Appliquée 13 (12) 655 (1978)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012065500