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Article cité :

Electroabsorption by impurities and defects in semi-insulating CdTe

G. Neu, Y. Marfaing, R. Triboulet, M. Escorne

Rev. Phys. Appl. (Paris), 12 2 (1977) 263-266

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202026300

Citations de cet article :

CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero- and Nano-structures, Crystal Growth, Surfaces and Applications

O. Panchuk and P. Fochuk
CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero- and Nano-structures, Crystal Growth, Surfaces and Applications 309 (2010)
https://doi.org/10.1016/B978-0-08-046409-1.00006-X

Electrical properties of CdTe:Cl

M C Petty, I M Dharmadasa and G G Roberts
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https://doi.org/10.1088/0022-3727/13/10/019

Activation Energy Analysis of Defect Levels in Semi-Insulating CDTE Detector Material

Krishna P. Pande and G. G. Roberts
IEEE Transactions on Nuclear Science 24 (5) 2017 (1977)
https://doi.org/10.1109/TNS.1977.4329150