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Growth and annealing of CdZnTe:Cl crystals with different content of Zn for nuclear detectors

N. K. Zelenina, V. P. Karpenko, O. A. Matveev, et al.
Semiconductors 43 (10) 1379 (2009)
https://doi.org/10.1134/S1063782609100224

Effect of annealing on semi-insulating CdZnTe:Cl crystals with variable zinc content

O. A. Matveev, N. K. Zelenina, V. P. Karpenko, A. I. Terent’ev and A. A. Tomasov
Technical Physics Letters 33 (4) 273 (2007)
https://doi.org/10.1134/S1063785007040013

Measurements of the nonthermal x-ray emission in the T-10 tokamak using CdTe detectors

P. V. Savrukhin
Review of Scientific Instruments 73 (12) 4243 (2002)
https://doi.org/10.1063/1.1519938

Basic principles of postgrowth annealing of CdTe:Cl ingot to obtain semi-insulating crystals

O. A. Matveev and A. I. Terent’ev
Semiconductors 34 (11) 1264 (2000)
https://doi.org/10.1134/1.1325420