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Article cité :

Interface analysis by spectroscopic ellipsometry of Ga1−xAlxAs-GaAs heterojunctions grown by metal organic vapor phase epitaxy

M. Erman and P. M. Frijlink
Applied Physics Letters 43 (3) 285 (1983)
https://doi.org/10.1063/1.94328

Qualitative and quantitative assessments of the growth of (Al,Ga) As-GaAs heterostructures by in situ ellipsometry

G. Laurence, F. Hottier and J. Hallais
Revue de Physique Appliquée 16 (10) 579 (1981)
https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010057900

Growth monitoring and characterization of (Al, Ga)As-GaAs heterostructures by ellipsometry

G. Laurence, F. Hottier and J. Hallais
Journal of Crystal Growth 55 (1) 198 (1981)
https://doi.org/10.1016/0022-0248(81)90288-8