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Article cité :

Analysis of weak avalanche multiplication in collector junctions. Avalanche injection measurements on standard transistors like devices

O.A. Bonnaud, J.P. Chante, J.J. Urgell

Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 673-677

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012067300

Citations de cet article :

Simulating and modeling the breakdown voltage in a semi-insulating GaAs P+N junction diode

A. Resfa, Brahimi R. Menezla and M. Benchhima
Journal of Semiconductors 35 (8) 084002 (2014)
https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/8/084002

Electric measurement and modelling of the emitter base junction behaviour of VLSI silicon transistor

D. Sebille, O. Bonnaud and J.P. Chante
Solid-State Electronics 24 (11) 1053 (1981)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(81)90134-9