Charge transport in oxygen-doped polysilicon layers on Si
Rev. Phys. Appl. (Paris), 13 12 (1978) 821-824
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Density of states at the interface between semi-insulating polycrystalline and single crystal silicon
D. M. Taylor and D. W. TongJournal of Applied Physics 56 (6) 1881 (1984)
https://doi.org/10.1063/1.334178