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Article cité :

Mesure du coefficient d'absorption et de la transmission dérivée dans Ga1-xAlxAs epitaxial

R. Madelon

Rev. Phys. Appl. (Paris), 14 10 (1979) 863-867

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014010086300

Citations de cet article :

Liquid phase epitaxy of highly strained InGaAsP/GaAs films in the 1.4–1.8 eV interval of band gaps

Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, M.A. Revenko and E.M. Trukhanov
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https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00445-9

Liquid phase epitaxial growth of elastically strained InxGa1−xP and InxGa1−xAsyP1−yP solid solutions on GaAs substrates

Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, N.V. Nomerotsky, E.M. Trukhanov and A.S. Jaroshevich
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https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00961-9

Liquid phase epitaxial growth of elastically strained InGaAsP layers for spin-polarized electron sources

Yu.B. Bolkhovityanov, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, et al.
Journal of Crystal Growth 146 (1-4) 310 (1995)
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00543-5