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Article cité :

Effect of self-heating on the ideal static characteristics of GaAlAs light-emitting diodes

F. Marandet, J. Bernard, P. Garcia, J. Deforges and D. Magnant
Solid-State Electronics 32 (8) 607 (1989)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(89)90138-X

Minority carrier lifetime in VPE-GaP:N, Te at various excitation levels

K. Wandel, G. Wurbs, R. Bindemann, A. Kiksch and R. Schwabe
Physica Status Solidi (a) 65 (1) 233 (1981)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210650127