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Influence de la technique de dépôt d'isolant et des modes de décapage du semiconducteur sur les propriétés électriques de structures métal-Al 2O3-InP

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Citations de cet article :

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Comprehensive study of the valence band of standard alkali-metal and indium phosphorus oxide salts through x-ray photoemission spectroscopy and extended Hückel theory tight-binding analysis: A contribution towards the elucidation of local order in oxides on InP surfaces

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