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Article cité :

Defect creation and development at the polysilicon-silicon interface during a cold technology simulation

C. Jourdan, J. Gastaldi, M. Bienfait

Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 11 (1984) 941-943

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011094100

Citations de cet article :

Insight into the genesis of irregularity during crystal growth achieved monochromatic high sensitivity monochromatic synchrotron x-radiation diffraction imaging (topography)

Bruce Steiner, Masao Kuriyama and Ronald C. Dobbyn
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 20 (3) 189 (1990)
https://doi.org/10.1016/0960-8974(90)90001-9