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Article cité :

Propriétés de transport de l'antimoniure d'indium à densité de porteurs libres contrôlée par un niveau à relaxation de réseau

A. Kadri, M. Baj, K. Zitouni, R.L. Aulombard, C. Bousquet, J.L. Robert, L. Konczewicz

Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 3 (1984) 215-221

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001903021500

Citations de cet article :

Jean-Marc Guarini, Jennifer Coston-Guarini and Luc A. Comeau
(2020)
https://doi.org/10.1101/2020.12.20.423648

Computer simulation study of the effect of semiconductor deep bulk levels on the capacitance-voltage characteristics of InSb MIS structures

K.G. Germanova and E.P. Valcheva
Revue de Physique Appliquée 22 (9) 985 (1987)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002209098500